[发明专利]金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法

权利要求书

1.一种金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法，其特征在于：以纯钴、铁、钛、硅为原料，按分子式Co_1.00～1.09Si_0.91～1.00，或CoTi_0.00～0.08Si_0.92～1.00，或Fe_4～6Si_2～4的配比配料，在感应电炉中熔炼，熔炼温度为熔点Tm+0℃～Tm+200℃，液相完全形成后，保温10～60min，在交流感应搅拌的条件下，熔体均质化，熔炼始终在50乇～1000乇正压氩气保护下完成，冷却后得到球形锭，破碎后待作渗入用；颗粒度为0.3～10μ的碳化硅粉料在钢模中柱杆双向推进成形，获得相对密度在50～65％待渗碳化硅圆片状预制件，或者分散制浆再铸浆成形，获得相对密度在65～70％待渗碳化硅复杂形状预制件，分散剂首选氨水，待渗预制件在室温下干燥；用足量硅化物碎块放置在广口氧化铝坩埚内，坩埚中立一个或多个直径小于3～10mm，颗粒度为＞5μ间接渗入碳化硅预制圆柱，待渗碳化硅预制件横置在这些间接渗入预制圆柱上，间接自发渗入在石墨发热体加热炉中完成，间接自发渗入温度为熔点Tm+50℃～Tm+250℃，渗入时间为20～200min，自发渗入始终在50乇～1000乇正压氩气保护下进行。

2.根据权利要求1所述的一种金属硅化物熔体浸渗碳化硅坯件制备复合材料方法，其特征在于：原料的分子式配比为Co_1.01～1.06Si_0.94～0.99，或CoTi_0.02～0.07Si_0.93～0.98，或Fe_4.7～5.3Si_2.7～3.3；熔炼温度为Tm+50℃～Tm+100℃；保温时间为20～40min；氩气压力为50乇～800乇；碳化硅预制圆柱直径为小于5～8mm；间接自发渗入温度为熔点Tm+100℃～Tm+150℃；渗入时间为40～60min。

3.根据权利要求1或2所述的一种金属硅化物熔体自发渗入碳化硅坯件制备复合材料方法，其特征在于：原料的分子式配比为Co_1.05Si_0.95，或CoTi_0.05Si_0.95，或Fe₅Si₃；熔炼温度为熔点Tm+80℃；保温时间为30min；氩气压力为750乇；碳化硅预制圆柱直径小于6mm；间接自发渗入温度为熔点Tm+130℃；自发渗入时间为50min。