[发明专利]提高金属抗氟能力的方法及集成电路结构有效
| 申请号： | 97120067.X | 申请日： | 1997-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1106030C | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | Ｅ·Ｃ·库内三世;Ｈ·Ｋ·李;Ｔ·Ｌ·麦德维特;Ａ·Ｋ·斯塔姆佩尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高金属对自身因暴露在从含氟材料释放出来的氟而变质的抵抗能力的方法，即在绝缘材料与金属之间形成氟阻挡层。本发明材对提高半导体结构中金相(例如铝金相)抗腐蚀和抗中毒的能力特别有用。本发明还包括用这种方法制取的集成电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 金属 能力 方法 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种提高金属对自身因暴露在氟中而变质的抵抗能力的方法，其特征在于，它包括下列步骤：配备含氟的绝缘膜；在所述绝缘膜上形成氟阻挡层；在所述氟阻挡层上形成金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
