[发明专利]用于制造薄膜受激镜面阵列的方法无效
| 申请号： | 97116792.3 | 申请日： | 1997-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1175700A | 公开（公告）日： | 1998-03-11 |
| 发明（设计）人： | 具明権;严珉植 | 申请（专利权）人： | 大宇电子株式会社 |
| 主分类号： | G02B27/18 | 分类号： | G02B27/18;G02F1/01 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明包括一种制造适用于光学投影系统的M×N薄膜受激镜面阵列的方法,该方法的步骤包括制备一个激励矩阵;形成薄膜蚀去层;在薄膜蚀去层的顶层处形成抗氧化层形成空腔矩阵;设置弹性体层;在弹性体层中形成导体阵列;依次配置第二薄膜层、薄膜电致位移层和第一薄膜层,以形成多层结构;处理多层结构,直到将薄膜蚀去层暴露出来为止;除去薄膜蚀去层,以形成M×N薄膜受激镜面的阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 薄膜 受激镜面 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适用于光学投影系统的M×N薄膜受激镜面的阵列，其特征在于该阵列包括：一个具有基底和一个M×N连接端子阵列的激励矩阵；一个形成在激励矩阵顶层处的钝化层；一个形成在钝化层顶层处的蚀刻阻止层；一个具有M×N受激镜面结构的阵列，每一个受激镜面结构均包括有一个第一薄膜电极、一个薄膜电致位移元件、一个第二薄膜电极、一个弹性元件和一个抗氧化元件，薄膜电致位移元件配置在两个电极之间，而抗氧化元件配置在弹性元件之下，其中的每一个第二薄膜电极均通过导体与相应的连接端子相连接，作为每一个薄膜受激镜面中的信号电极，而每一个第一薄膜电极被用作为镜面以及设置在其中的偏置电极。
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