[发明专利]用于制造薄膜受激镜面阵列的方法

权利要求书

1.一种适用于光学投影系统的M×N薄膜受激镜面的阵列，其特征在于该阵列包括：

一个具有基底和一个M×N连接端子阵列的激励矩阵；

一个形成在激励矩阵顶层处的钝化层；

一个形成在钝化层顶层处的蚀刻阻止层；

一个具有M×N受激镜面结构的阵列，每一个受激镜面结构均包括有一个第一薄膜电极、一个薄膜电致位移元件、一个第二薄膜电极、一个弹性元件和一个抗氧化元件，薄膜电致位移元件配置在两个电极之间，而抗氧化元件配置在弹性元件之下，其中的每一个第二薄膜电极均通过导体与相应的连接端子相连接，作为每一个薄膜受激镜面中的信号电极，而每一个第一薄膜电极被用作为镜面以及设置在其中的偏置电极。

2.一种制造适用于光学投影系统的M×N薄膜受激镜面阵列的方法，其中的M和N为正整数，其特征在于该方法包括的步骤有：

制备一个具有基底、一个M×N连接端子阵列和一个M×N晶体管阵列的激励矩阵；

在激励矩阵顶层处分别形成一个钝化层和一个蚀刻阻止层；

在蚀刻阻止层的顶层处形成薄膜蚀去层；

在薄膜蚀去层的顶层处形成抗氧化层；

形成M×N对的空腔阵列，其中每一对空腔中的一个空腔均包含有一个连接端子；

在包含有空腔的抗氧化层的顶层处设置弹性体层；

形成M×N导体阵列，其中的每一个导体由弹性体层的顶层伸延至相应的连接端子的顶层处；

依次在弹性体层的顶层处，形成一个第二薄膜层、一个薄膜电致位移层和第一薄膜层，以形成多层结构；

将多层结构制成具有M×N受激镜面结构的阵列，直到将薄膜蚀去层暴露出来为止，每一个受激镜面结构构成均分别包括有一个第一薄膜电极、一个薄膜电致位移元件、一个第二薄膜电极、一个弹性元件和一个抗氧化元件；

除去薄膜蚀去层，以形成M×N薄膜受激镜面的阵列。

3.一种如权利要求2所述的方法，其特征在于抗氧化层由氧化硅(SiO₂)制成。

4.一种如权利要求2所述的方法，其特征在于抗氧化层由氮化硅(Si₃N₄)制成。

5.一种如权利要求3或4所述的方法，其特征在于抗氧化层的厚度为100-2000埃()。

6.一种如权利要求3或4所述的方法，其特征在于抗氧化层是利用在氮氛围中的低压化学气相沉淀(LPCVD)方法制成的。

7.一种如权利要求2所述的方法，其特征在于每一个空腔的构成方式为：

在抗氧化层的顶层形成光敏抗蚀层；

采用湿法蚀刻方法有选择性的除去薄膜蚀去层和抗氧化层；

完全除去光敏抗蚀层。