[发明专利]三相半控桥可控硅触发电路的改进有效
| 申请号： | 97115800.2 | 申请日： | 1997-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1056708C | 公开（公告）日： | 2000-09-20 |
| 发明（设计）人： | 梁佑芬 | 申请（专利权）人： | 梁佑芬 |
| 主分类号： | H02M1/06 | 分类号： | H02M1/06;B66C13/23 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 3533*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | ＧＫＴ１．６ｍ提升机动力制动由磁放大器所组成的三相半控桥可控硅触发电路改为阻容移相桥触发电控系统的原因及其阻容移相桥的原理设计和原电路作必要少许修改、试验、运行情况。 | ||
| 搜索关键词： | 三相 半控桥 可控硅 触发 电路 改进 | ||
【主权项】：
1.一种三相半控桥可控硅触发电路的改进，其特征是：当三相整流变压器的交流电压输入时，其同步变压器的次级绕阻感应出一个交流同步电压，通过阻容移相桥，按C相、B相、A相的顺序依次去触发A、B、C三相半控桥的可控硅，只要改变附主令的档位切换阻容移相桥的阻值，即可改变可控硅的导通角，提升机在负力运行时，通过动力制动档位安全速控。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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