[发明专利]薄膜致动反射镜阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 97111910.4 | 申请日： | 1997-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1177110A | 公开（公告）日： | 1998-03-25 |
| 发明（设计）人： | 金货年 | 申请（专利权）人： | 大宇电子株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/12 | 分类号： | G02B5/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邵伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在光学投影系统中使用的M×N薄膜致动反射镜的阵列及其制造方法,该阵列包括一个有源矩阵,包括一个基底和一个M×N连接端子阵列;及一个M×N致动反射镜机构的阵列,各薄膜致动反射镜机构均包括一第一薄膜电极、一个阻隔件、一个薄膜电致位移件、一个第二薄膜电极和一个弹性件,其中为了提高构成各薄膜致动反射镜的薄膜之间的粘合性,阻隔层被设置在电致位移层之上,第二薄膜层的顶表面通过使用离子束而受到离子破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 反射 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在光学投影系统中使用的M×N薄膜致动反射镜的阵列，其特征在于，该阵列包括：一个有源矩阵，该有源矩阵包括个基底和一个M×N连接端子阵列；以及一个M×N致动反射镜机构的阵列，各致动反射镜机构均具有一个近端和一个远端，并包括一第一薄膜电极、一个阻隔件、一个薄膜电致位移件、一个第二薄膜电极和一个弹性件，其中该薄膜电致位移件放置在二电极之间，阻隔件位于该第一薄膜电极和该薄膜电致位移件之间，该第二薄膜电极具有一个离子破坏顶表面，各致动反射镜机构的近端的底部与有源矩阵的顶部相连接，从而被悬臂支持住。
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