[发明专利]薄膜致动反射镜阵列及其制造方法无效

专利信息
申请号: 97111910.4 申请日: 1997-06-25
公开(公告)号: CN1177110A 公开(公告)日: 1998-03-25
发明(设计)人: 金货年 申请(专利权)人: 大宇电子株式会社
主分类号: G02B5/12 分类号: G02B5/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 邵伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 反射 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种在光学投影系统中使用的M×N薄膜致动反射镜的阵列,其特征在于,该阵列包括:

一个有源矩阵,该有源矩阵包括个基底和一个M×N连接端子阵列;以及

一个M×N致动反射镜机构的阵列,各致动反射镜机构均具有一个近端和一个远端,并包括一第一薄膜电极、一个阻隔件、一个薄膜电致位移件、一个第二薄膜电极和一个弹性件,其中该薄膜电致位移件放置在二电极之间,阻隔件位于该第一薄膜电极和该薄膜电致位移件之间,该第二薄膜电极具有一个离子破坏顶表面,各致动反射镜机构的近端的底部与有源矩阵的顶部相连接,从而被悬臂支持住。

2、根据权利要求1所述的阵列,其特征在于,该有源矩阵还包括一个钝化层和一个阻蚀层。

3、根据权利要求1所述的阵列,其特征在于,该阻隔件由氧化物例如二氧化硅(SiO2)构成。

4、一种制造用于光学投影系统的M×N薄膜致动反射镜阵列的方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:

准备一有源矩阵,该有源矩阵包括一个基底和一M×N连接端子阵列;

在有源矩阵的顶上形成一薄膜待除层;

在薄膜待除层中建立一M×N空槽的阵列,各空槽分别位于一个连接端子的四周;

在包括空槽阵列的薄膜待除层的顶上沉积出一弹性层;

形成一M×N对导管的阵列;

将一第二薄膜层形成在包括导管的弹性层的顶部上;

利用离子束破坏第二薄膜层的顶表面;

沉积一个薄膜电致位移层;

将一阻隔层形成在薄膜电致位移层的顶上;

沉积一第一薄膜层,以形成一个多层结构;

构型该多层结构,从而构成一M×N致动反射镜机构的阵列;

去除该薄膜保护层,从而形成一M×N薄膜致动反射镜阵列。

5、根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括将一钝化层沉积在该有源矩阵之上的步骤。

6、根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括将一个阻蚀层沉积在该钝化层之上的步骤。

7、根据权利要求4所述的方法,其特征在于,该离子束为惰性气体离子束。

8、根据权利要求4所述的方法,其特征在于,该阻隔层的厚度小于100埃。

9、根据权利要求8所述的方法,其特征在于,利用溅射法、真空蒸镀法或PECVD法,对该阻隔层进行沉积。

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