[发明专利]薄膜致动反射镜阵列及其制造方法无效
| 申请号: | 97111910.4 | 申请日: | 1997-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN1177110A | 公开(公告)日: | 1998-03-25 |
| 发明(设计)人: | 金货年 | 申请(专利权)人: | 大宇电子株式会社 |
| 主分类号: | G02B5/12 | 分类号: | G02B5/12 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 邵伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 反射 阵列 及其 制造 方法 | ||
1、一种在光学投影系统中使用的M×N薄膜致动反射镜的阵列,其特征在于,该阵列包括:
一个有源矩阵,该有源矩阵包括个基底和一个M×N连接端子阵列;以及
一个M×N致动反射镜机构的阵列,各致动反射镜机构均具有一个近端和一个远端,并包括一第一薄膜电极、一个阻隔件、一个薄膜电致位移件、一个第二薄膜电极和一个弹性件,其中该薄膜电致位移件放置在二电极之间,阻隔件位于该第一薄膜电极和该薄膜电致位移件之间,该第二薄膜电极具有一个离子破坏顶表面,各致动反射镜机构的近端的底部与有源矩阵的顶部相连接,从而被悬臂支持住。
2、根据权利要求1所述的阵列,其特征在于,该有源矩阵还包括一个钝化层和一个阻蚀层。
3、根据权利要求1所述的阵列,其特征在于,该阻隔件由氧化物例如二氧化硅(SiO2)构成。
4、一种制造用于光学投影系统的M×N薄膜致动反射镜阵列的方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:
准备一有源矩阵,该有源矩阵包括一个基底和一M×N连接端子阵列;
在有源矩阵的顶上形成一薄膜待除层;
在薄膜待除层中建立一M×N空槽的阵列,各空槽分别位于一个连接端子的四周;
在包括空槽阵列的薄膜待除层的顶上沉积出一弹性层;
形成一M×N对导管的阵列;
将一第二薄膜层形成在包括导管的弹性层的顶部上;
利用离子束破坏第二薄膜层的顶表面;
沉积一个薄膜电致位移层;
将一阻隔层形成在薄膜电致位移层的顶上;
沉积一第一薄膜层,以形成一个多层结构;
构型该多层结构,从而构成一M×N致动反射镜机构的阵列;
去除该薄膜保护层,从而形成一M×N薄膜致动反射镜阵列。
5、根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括将一钝化层沉积在该有源矩阵之上的步骤。
6、根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括将一个阻蚀层沉积在该钝化层之上的步骤。
7、根据权利要求4所述的方法,其特征在于,该离子束为惰性气体离子束。
8、根据权利要求4所述的方法,其特征在于,该阻隔层的厚度小于100埃。
9、根据权利要求8所述的方法,其特征在于,利用溅射法、真空蒸镀法或PECVD法,对该阻隔层进行沉积。
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