[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97111873.6 | 申请日： | 1997-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1090383C | 公开（公告）日： | 2002-09-04 |
| 发明（设计）人： | 高尧焕;崔珍赫 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/12;H01L21/8234;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 袁炳泽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在SOI(SiliconOnInsulator)衬底上的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管这样的具有两个相邻阱的半导体器件，特别是，涉及为了消除闩锁(Latch-up)问题而具有完全绝缘的多个阱的半导体器件及其方法，达到能够减小泄漏电流而防止半导体器件的闩锁现象的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有多个阱的半导体器件，其特征在于，包括：硅半导体衬底；形成在上述硅半导体衬底上的绝缘膜；形成在上述绝缘膜上的预定区域中的包括N阱和P阱区域的半导体层；形成在上述半导体层的N阱和P阱区域之间的，其上部的宽度宽于下部的宽度而形成并且其底面同上述绝缘膜相连接的T字形元件隔离膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
