[发明专利]软X射线非冗余全息术中纳米针孔探头及其制备方法无效
申请号: | 97106366.4 | 申请日: | 1997-04-08 |
公开(公告)号: | CN1068709C | 公开(公告)日: | 2001-07-18 |
发明(设计)人: | 张需明;王桂英;曹根娣;王之江 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/16 |
代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 李兰英 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种软X射线非冗余全息术中纳米针孔探头及其制备方法。纳米针孔在X射线非冗余全息术中、X射线扫描显微术和X射线成象显微术以及光盘存储信息中有着重要的应用。本发明采用两种方法制作纳米针孔,一种方法是先在带有制作好小圆胶点的基片表面上镀金膜,利用圆胶点形成小孔,再用电镀法缩孔,另一种方法是利用基片表面的不平整性直接在表面上镀金膜而获得。两种方法均可制得孔径α<200纳米,孔深H>200纳米,且针孔厚度h>50纳米的纳米针孔。 | ||
搜索关键词: | 射线 冗余 全息 纳米 针孔 探头 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种软X射线非冗余全息术中纳米针孔探头,包括基片(1),基片(1)一表面上有金膜(2),基片(1)上有大孔(4),金膜(2)上有针孔(3),针孔(3)的横向孔径a<200纳米,大孔的孔径大于针孔的孔径a,其特征在于针孔(3)的孔深H>200纳米,针孔(3)的厚度h>50纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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