[发明专利]软X射线非冗余全息术中纳米针孔探头及其制备方法无效
申请号: | 97106366.4 | 申请日: | 1997-04-08 |
公开(公告)号: | CN1068709C | 公开(公告)日: | 2001-07-18 |
发明(设计)人: | 张需明;王桂英;曹根娣;王之江 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/16 |
代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 李兰英 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 冗余 全息 纳米 针孔 探头 及其 制备 方法 | ||
1.一种软X射线非冗余全息术中纳米针孔探头,包括基片(1),基片(1)一表面上有金膜(2),基片(1)上有大孔(4),金膜(2)上有针孔(3),针孔(3)的横向孔径a<200纳米,大孔的孔径大于针孔的孔径a,其特征在于针孔(3)的孔深H>200纳米,针孔(3)的厚度h>50纳米。
2.依照权利要求1所述的软X射线非冗余全息术中纳米针孔探头所用的制备方法,是采用电镀法缩孔,其特征在于在基片(1)上制作小圆胶点并镀金膜(2),再溶掉小圆胶点在金膜上形成小孔,然后用电镀法缩孔构成针孔(3),具体工艺流程是:
<1>制备基片(1):按要求的尺寸切片,精磨,抛光,并进行清洁处理,
<2>制作网格:在上述基片(1)的一表面上制成网格,并在基片(1)带有网格的表面上涂上一层胶层,
<3>制作圆胶点:在基片胶层上制作直径1微米的圆胶点,用过显影的方法制得直径约300纳米的小圆胶点,
<4>蒸镀金膜:在基片(1)带有小圆胶点的表面上蒸镀上一层金膜,
<5>将上述表面带有金膜(2)的基片(1)置于能溶解上述胶层的溶液中,溶去小圆胶点,获得约300纳米的圆孔,
<6>电镀缩孔:对于基片(1)上的金膜(2)进行电镀,
<7>用选择腐蚀法在相对于镀金膜(2)的另一面将基片(1)开一直径大于针孔孔径a的大孔(4),露出带针孔(3)的金膜(2)部分。
3.依照权利要求1所述的软X射线非冗余全息术中纳米针孔探头所用的制备方法,其特征在于利用基片表面不平整性在金膜上形成针孔,具体制作工艺流程是:
<1>制备基片(1),切片,精磨,抛光,清洁处理,并在基片的表面上制成网格,
<2>在基片(1)带有网格的表面上蒸镀金膜(2),
<3>用选择腐蚀法在基片(1)镀有金膜(2)的另一面将基片(1)开一直径大于针孔孔径a的大孔(4),露出带有针孔(3)的金膜(2)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造