[发明专利]半导体基片的制作方法

摘要

本发明是关于多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸；制作半导体基片的制造方法包括如下工序形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。

主权项

1.一种制备半导体基片的方法，包括下列步骤：提供一具有一多孔单晶硅层和一非多孔单晶硅层的第一衬底；将第一衬底粘结到一第二衬底上，其间夹有一绝缘层，粘结时把非多孔单晶硅层置于要制备的多层结构的内侧；以及用一腐蚀液腐蚀多孔单晶硅层，该腐蚀液由一包括氢氟酸以及醇和双氧水中的至少一种的溶液构成，或由一包括缓冲氢氟酸以及醇和双氧水中至少一种的溶液构成，以从所述多层结构上除去所述多孔单晶硅层。