[发明专利]半导体基片的制作方法

权利要求书

1.一种制备半导体基片的方法，包括下列步骤：

提供一具有一多孔单晶硅层和一非多孔单晶硅层的第一衬底；

将第一衬底粘结到一第二衬底上，其间夹有一绝缘层，粘结时把非多孔单晶硅层置于要制备的多层结构的内侧；以及

用一腐蚀液腐蚀多孔单晶硅层，该腐蚀液由一包括氢氟酸以及醇和双氧水中的至少一种的溶液构成，或由一包括缓冲氢氟酸以及醇和双氧水中至少一种的溶液构成，以从所述多层结构上除去所述多孔单晶硅层。

2.一种制备半导体基片的方法，包括下列步骤：

提供一具有一多孔单晶硅层和一非多孔单晶硅层的第一衬底；

提供一透明的玻璃衬底，将第一衬底粘结到一第二玻璃衬底上，把非多孔单晶硅层置于要制备的多层结构的内侧；以及

用一腐蚀液腐蚀多孔单晶硅层，该腐蚀液由一包括氢氟酸以及醇和双氧水中的至少一种的溶液构成，或由一包括缓冲氢氟酸以及醇和双氧水中至少一种的溶液构成，以从所述多层结构上除去所述多孔单晶硅层。

3.如权利要求1或2的方法，其中，构成腐蚀液的溶液包括5～80％的氢氟酸、10-80％的双氧水和小于或等于40％的醇。

4.如权利要求1或2的方法，其中，构成腐蚀液的溶液包括1～70％的氢氟酸、5～80％的缓冲剂、10～80％的双氧水和小于或等于40％的醇。

5.如权利要求1或2的方法，其中，构成腐蚀液的溶液包括5～80％的氢氟酸和10～80％的双氧水。

6.如权利要求1或2的方法，其中，构成腐蚀液的溶液包括5～80％的氢氟酸和小于或等于40％的醇。

7.如权利要求1或2的方法，其中，构成腐蚀液的溶液包括1～70％的氢氟酸、5～80％的缓冲剂以及10～80％的双氧水。

8.如权利要求1或2的方法，其中，构成腐蚀液的溶液包括1～70％的氢氟酸、5～80％的缓冲剂以及小于或等于40％的醇。

9.如权利要求1或2的方法，其中，醇为乙醇。

10.如权利要求1或2的方法，其中，缓冲氢氟酸由加有氟化铵的氢氟酸构成。

11.如权利要求1或2的方法，其中，多孔单晶硅的腐蚀是在0～100℃的温度下进行的。

12.如权利要求11的方法，其中，多孔单晶硅的腐蚀是在5～80℃的温度下进行的。

13.如权利要求12的方法，其中，多孔单晶硅的腐蚀是在5～60℃的温度下进行的。

14.如权利要求1或2的方法，其中，第一衬底是通过使一硅衬底多孔化以形成多孔单晶硅层并在该多孔单晶硅层上外延生长一非多孔单晶硅层而制得的。

15.如权利要求14的方法，其中，通过阳极氧化使该硅衬底多孔化。

16.如权利要求14的方法，其中，非多孔单晶硅层是用从分子束外延、等离子CVD、低温CVD、常压CVD、液相外延和偏置溅射法中选出的一种外延生长而得到的。

17.如权利要求1或2的方法，其中，第一衬底是通过使硅衬底部分多孔化以形成一多孔单晶层而制得的，其中未被多孔化的那部硅衬底被用作非多孔单晶硅衬底。

18.如权利要求17的方法，其中，硅衬底为P型，以及用质子照射部分衬底以形成n硅层、并通过阳极氧化使硅衬底的P型硅部分多孔化来制备第一衬底。

19.如权利要求17的方法，其中，硅衬底为P型，以及在该衬底上外延生长一层本征单晶硅层、并使硅衬底的P型硅部分多孔化来制备第一衬底。

20.如权利要求1的方法，其中，第二衬底包括硅。

21.如权利要求1的方法，其中，第二衬底和绝缘层是通过氧化一硅衬底的表面而形成的。

22.如权利要求1的方法，其中，第一衬底和绝缘层是通过氧化具有一多孔单晶硅层和一非多孔单晶层的衬底的非多孔单晶硅层的表面而形成的。