[发明专利]半导体装置及其制作方法无效
| 申请号： | 97102282.8 | 申请日： | 1997-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1163487A | 公开（公告）日： | 1997-10-29 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;寺本聪;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/786;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董巍,叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征是：具有在带有绝缘表面的基板上边已制作上多个薄膜晶体管的构成；构成上述多个薄膜晶体管的有源层的结晶性硅膜利用了从多个点放射状地进行了结晶生长的结晶性硅膜构成。
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