[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征是：

具有在带有绝缘表面的基板上边已制作上多个薄膜晶体管的构成；

构成上述多个薄膜晶体管的有源层的结晶性硅膜利用了从多个点放射状地进行了结晶生长的结晶性硅膜构成。

2.一种半导体装置，其特征是：

具有在带有绝缘表面的基板上边已制作上多个薄膜晶体管的构成；

构成上述多个薄膜晶体管的有源层的结晶性硅膜由在特定的方向上已进行了结晶生长的宽度为从约等于膜厚～2000的细长的多个构造体构成；

上述特定的方向在各个薄膜晶体管中都不相同。

3.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是：

在整个结晶性硅膜的表面上都已形成了热氧化膜，且该热氧化膜的膜厚比上述结晶性硅膜的膜厚还要厚。

4.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是：

在整个结晶性硅膜中含有助长硅结晶化的金属元素，作为该金属元素已利用了镍(Ni)；

上述镍元素的含有浓度为1×10¹⁴个原子/cm³～5×10¹⁸个原子/cm³。

5.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是：

作为助长硅结晶化的金属元素，在整个结晶性硅膜中已含有镍(Ni)；

上述镍元素的含有浓度为1×10¹⁶个原子/cm³～5×10¹⁷个原子/cm³。

6.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是：

在整个结晶性硅膜中已含有助长硅结晶化的金属元素；

作为该元素可以利用从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au中选出的一种或多种金属元素。

7.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是：

在整个结晶性硅膜中已含有助长硅结晶化的金属元素；

该金属元素具有向着结晶性硅膜的表面和/或背面其含有浓度变高的浓度分布。

8.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是：

在整个结晶性硅膜中已含有卤族元素，且该卤族元素具有其含有浓度向着结晶性硅膜的表面和/或背面变高的浓度分布。

9.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是：

结晶性硅膜的膜厚为100～750。

10.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是：

在结晶性硅膜的表面上形成了热氧化膜，且该热氧化膜的厚度比结晶性硅膜的厚度还厚。

11.一种半导体装置的制作方法，其特征是：

具有：

在绝缘表面上形成非晶质硅膜的工序；

借助于助长硅结晶化的金属元素的作用使上述非晶质硅膜结晶化而得到结晶性硅膜的工序；

借助于在含有卤族元素的氧化性气氛中，在800℃～1100℃下的加热处理，在上述结晶性硅膜的表面上形成第1热氧化膜的工序；和

在上述结晶性硅膜的表面上形成第2热氧化膜的工序；并

得到从多个点放射状地进行了结晶生长的结晶性硅膜。

12.按照权利要求11的半导体装置的制作方法，其特征是：

第1和第2热氧化膜的厚度合比最终所要得到的结晶性硅膜的厚度还厚。

13.按照权利要求11的半导体装置的制作方法，其特征是：

把镍(Ni)用作助长硅结晶化的金属元素。

14.按照权利要求11的半导体装置的制作方法，其特征是：

作为助长硅结晶化的金属元素利用从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Au中选出的一种或多种金属元素。