[发明专利]高功率微波混合集成电路无效
| 申请号： | 96199885.7 | 申请日： | 1996-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1139125C | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 埃德沃德·沃尔佛威奇·艾津别尔格;弗拉蒂米尔·伊里奇·别伊利;尤里·佩乔维奇·克柳耶夫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/367 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一个高功率微波集成电路，它包括具有接触压点的无封装半导体器件(5)，含有通孔(3)的在正面有拓扑图形而在背面则有屏蔽金属(2)的介质衬底(1)，具有与介质衬底(1)屏蔽金属(2)相邻并穿过通孔(3)的突起部分的金属盖(4)，所述半导体器件(5)固定在金属盖(4)的突起部分上，以便那些具有接触压点的表面高出介质衬底(1)的正面，所述接触压点的一部分与金属的拓扑图形连接，而另一部分则与金属盖(4)的突起部分连接，其特征在于金属盖(4)有将金属盖的突起部分固定的通孔(3)，所述突起部分做成插销的形状，牢牢地固定在所述通孔(3)中，并用具有比金属盖(4)材料热导系数更大的材料制作。本发明可用于改进的微波功率固体模块，尤其是微波放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 微波 混合 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一个高功率微波混合集成电路，包括具有接触压点的无封装半导体器件(5)，一个含有通孔(3)的在正面有拓扑图形而在背面则有屏蔽金属(2)的介质衬底(1)，一个具有与介质衬底(1)屏蔽金属(2)相邻并穿过通孔(3)的突起部分(6)的金属盖(4)，所述半导体器件(5)固定在金属盖(4)的突起部分(6)上，以便那些具有接触压点的表面高出介质衬底(1)的正面，所述接触压点的一部分与金属的拓扑图形连接，而另一部分则与金属盖(4)的突起部分(6)连接，其特征在于金属盖(4)有将金属盖的突起部分(6)固定的通孔(3)，所述突起部分(6)做成插销的形状，牢牢地固定在所述通孔(3)中，并用具有比金属盖(4)材料的热导系数更大的材料制作。
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