[发明专利]用类金刚石纳米复合材料制备容性薄膜无效
| 申请号： | 96198464.3 | 申请日： | 1996-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1111882C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | A·高尔;D·J·布莱;S·C·马丁;K·A·布拉克莱 | 申请（专利权）人： | 贝克特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,陈景峻 |
| 地址： | 比利时兹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制备电容器(25)的方法，包括：利用具有碳混晶原子尺度网格的类金刚石纳米复合固态材料制备介电层(27)和/或导电层(26)，这些网格包括：由氢稳定的类金刚石碳网格，由氧稳定的类玻璃硅网格，及任选的至少一个掺杂元素附加网格或一个掺杂化合物附加网格，该网格包含元素周期表中第1族至第7b族以及第8族的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 纳米 复合材料 制备 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种制备电容器的方法，包括：制备多层导电层；及制备相邻导电层之间的介电层，介电层由具有穿插网格的非导电类金刚石纳米复合固态材料制备，这些网格包括：由氢稳定的类金刚石碳网格，由氧稳定的类玻璃硅网格，及任选的至少一个非导电掺杂元素网格或一个非导电掺杂化合物网格，该网格包含元素周期表中第1族至第7b族以及第8族的元素。
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