[发明专利]半导体晶片暴露表面的修整方法无效
| 申请号： | 96197135.5 | 申请日： | 1996-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1099127C | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | W·J·布鲁克斯福尔特;S·R·卡勒;K·L·霍;D·A·卡萨基;C·R·凯塞尔;T·P·克隆;H·K·克兰兹;R·P·梅斯纳;R·J·韦布;J·P·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 美国3M公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/3105;B24D3/16;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 林蕴和 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体晶片暴露表面的修整方法，它包括如下步骤(a)使所述表面与三维、有网纹、粘固的磨料制品接触，所述的磨料制品含有按预定图案形式排列的许多磨料颗粒和粘结剂；(b)使所述半导体晶片与所述粘固磨料制品作相对运动，以修整所述半导体晶片的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 暴露 表面 修整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种修整半导体晶片暴露表面的方法，其特征在于它包括如下步骤：(a)使所述表面与三维、有网纹、粘固的磨料制品接触，所述的磨料制品包括按预定图案形式排列的含分散在粘结剂中许多磨料颗粒的研磨复合体；(b)使所述半导体晶片与所述粘固磨料制品作相对运动，以修整所述半导体晶片的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
