[发明专利]半导体晶片暴露表面的修整方法

权利要求书

1.一种修整半导体晶片暴露表面的方法，其特征在于它包括如下步骤：

(a)使所述表面与三维、有网纹、粘固的磨料制品接触，所述的磨料制品包括按预定图案形式排列的含分散在粘结剂中许多磨料颗粒的研磨复合体；

(b)使所述半导体晶片与所述粘固磨料制品作相对运动，以修整所述半导体晶片的表面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于在液体存在下使所述表面和所述粘固的磨料制品接触。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于在pH值至少为5的液体存在下使所述表面和所述粘固的磨料制品接触。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的暴露表面含有二氧化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于该方法包括修整处理后的半导体晶片的暴露表面。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于使所述半导体晶片与所述粘固磨料制品作相对运动，以修整所述半导体晶片的表面，产生Ra值不大于2纳米的表面。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于使所述半导体晶片与所述粘固磨料制品作相对运动，以修整所述半导体晶片的表面，达到至少为50纳米/分钟的平均磨削率。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的粘固磨料制品包括背衬，该背衬的表面包括含所述磨料颗粒和所述粘结剂的研磨复合体研磨涂层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述磨料颗粒的平均粒度不大于5微米。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述磨料颗粒基本上由二氧化铈颗粒构成。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的粘结剂包含热固性有机聚合物树脂。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述粘结剂还含有增塑剂，相对于不含增塑剂的相同磨料制品，所述增塑剂的用量足以提高所述磨料制品的磨耗性。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于所述的粘结剂中，以增塑剂与树脂的总重量为基准，含有至少25％的增塑剂。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述粘固磨料制品含有许多研磨复合体。

15.如权利要求1或14所述的方法，其特征在于所述研磨复合体的形状是选自立方形、圆柱形、棱柱形、矩形、棱锥形、截平棱锥形、圆锥形、截平圆锥形、十字形、具有平顶表面的柱形、半球形以及它们的组合。