[发明专利]用极化辐照和背面辐照方法清除物质无效
| 申请号： | 96196069.8 | 申请日： | 1996-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1194057A | 公开（公告）日： | 1998-09-23 |
| 发明（设计）人： | A·C·恩格斯伯格;A·W·约翰森;W·P·帕克 | 申请（专利权）人： | 大锅有限合伙人公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;B08B7/00;C23C14/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,萧掬昌 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种从衬底表面选择性地清除不希望有的物质的设备和方法,它在不希望有的物质衬底表面上提供一个惰性气体流,同时用载能光子辐照不希望有的物质。本发明使得能够清除不希望有的物质而不改变被清除的不希望有的物质下方或附近的材料的物理性质。利用极化的载能光子可提高清除效率。将激光束引入到透明衬底的背面,可提高清除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 极化 辐照 背面 方法 清除 物质 | ||
【主权项】：
1.一种用来从衬底被处理表面选择性地清除不希望有的物质而不影响待要留在不希望有的物质附近或下方的被处理表面上的所需材料的物理性质的方法，包含下列步骤：用空间和时间浓度足以从被处理表面释放不希望有的物质而不足以改变所需材料的物理性质的极化载能光子，辐照上述不希望有的物质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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