[发明专利]用极化辐照和背面辐照方法清除物质无效
| 申请号: | 96196069.8 | 申请日: | 1996-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN1194057A | 公开(公告)日: | 1998-09-23 |
| 发明(设计)人: | A·C·恩格斯伯格;A·W·约翰森;W·P·帕克 | 申请(专利权)人: | 大锅有限合伙人公司 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B08B7/00;C23C14/28 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正,萧掬昌 |
| 地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 极化 辐照 背面 方法 清除 物质 | ||
1.一种用来从衬底被处理表面选择性地清除不希望有的物质而不影响待要留在不希望有的物质附近或下方的被处理表面上的所需材料的物理性质的方法,包含下列步骤:
用空间和时间浓度足以从被处理表面释放不希望有的物质而不足以改变所需材料的物理性质的极化载能光子,辐照上述不希望有的物质。
2.权利要求1的方法,其中所需的物质包括衬底和衬底上的薄膜。
3.权利要求2的方法,其中的薄膜选自铬、铟锡氧化物、铝和镍。
4.权利要求3的方法,其中的衬底选自石英、硼硅玻璃、硅、钢和铝。
5.权利要求4的方法,其中的薄膜是铬,而衬底是石英或硼硅玻璃。
6.权利要求4的方法,其中的薄膜是铟锡氧化物,而衬底是石英或硼硅玻璃。
7.权利要求4的方法,其中的薄膜是铝,而衬底是硅。
8.权利要求4的方法,其中的薄膜是氧化铪,而衬底是石英或硼硅玻璃。
9.权利要求4的方法,其中的薄膜是镍,而衬底是钢或铝。
10.权利要求1的方法,还包括下列步骤:
横跨上述不希望有的物质同时引进一种对上述衬底基本上惰性的气体流。
11.一种从衬底处理表面选择性地清除不希望有的物质而不影响待要留在不希望有的物质附近或下方的所需材料的物理性质的方法,包含下列步骤:
对激光进行极化,使激光的S分量和P分量中的一个对S分量和P分量中的另一个明显地占优势;以及
将上述极化激光以足以从处理表面释放不希望有的物质而不足以改变所需材料的物理性质的能量流和功率流加至上述处理表面。
12.权利要求11的方法,其中所述的激光由脉冲KrF受激准分子激光器产生。
13.权利要求11的方法,还包含下列步骤:
横跨上述不希望有的物质同时引进一种对上述衬底基本上惰性的气体流。
14.一种从衬底被处理表面选择性地清除不希望有的物质而不改变待要留在不希望有的物质附近或下方的被处理表面上的所需材料的物理性质的方法,包含下列步骤:
用极化载能光子以足以击断不希望有的物质的组成键而不足以使所需材料的温度上升到产生所需材料物理性质变化的程度的能量和功率流,辐射上述不希望有的物质。
15.权利要求14的方法还包括下列步骤:
横跨上述不希望有的物质同时引进一种对上述衬底基本上惰性的气体流。
16.一种从衬底第一侧选择性地清除不希望有的物质而不影响待要留在不希望有的物质附近或下方的衬底上的所需材料的物理性质的方法,此衬底有一个与第一侧相反的第二侧,此方法包含下列步骤:
用空间和时间浓度足以从第一侧释放不希望有的物质而不足以改变所需材料的物理性质的载能光子,辐照衬底第二侧。
17.一种从衬底选择性地清除不希望有的物质而不影响待要留在不希望有的物质附近或下方的衬底上的所需材料的物理性质的方法,此衬底和不希望有的物质之间有一个界面,此方法包含下列步骤:
用空间和时间浓度足以从第一侧释放不希望有的物质而不足以改变所需材料的物理性质的载能光子辐照此界面。
18.权利要求17的方法,其中所述的辐照步骤包含将光子通过衬底引至此界面。
19.权利要求16或18的方法,其中的衬底对辐照基本上是透明的。
20.权利要求16或18的方法,还包含下列步骤:
同时引进一种对上述衬底基本上惰性的气体流。
21.权利要求20的方法,其中的气体流被引到横跨不希望有的物质。
22.权利要求16或18的方法,其中的衬底是石英,而不希望有的物质是多晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





