[发明专利]非易失半导体存储器无效
| 申请号： | 96123885.2 | 申请日： | 1996-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1167988A | 公开（公告）日： | 1997-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李炯坤;任兴洙;徐康德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 孙履平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器，包括沿行方向排列、通向读出放大器的多条主位线；位于存储体之间并通过第一组选择晶体管与主位线连接的第一组子位线；位于存储体和第一组子位线之间并通过第二组选择晶体管与公共地线连接的第二组子位线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种具有包括由存储单元形成的多个存储体的存储单元阵列的半导体存储器，包括：沿行方向排列、通向读出放大器的多条主位线；位于所述存储体之间并通过第一组选择晶体管与所述主位线连接的第一组子位线；以及位于所述存储体和所述第一组子位线之间并通过第二组选择晶体管与公共地线连接的第二组子位线。
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