[发明专利]制造光电器件的方法无效
| 申请号： | 96122801.6 | 申请日： | 1996-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1154003A | 公开（公告）日： | 1997-07-09 |
| 发明（设计）人： | 佐野政史;斋藤惠志 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/052 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造光电器件的方法，该光电器件包括由衬底、反射层和反射增强层构成的底座部分；用非单晶层作为晶体结构并包含硅原子的n型，i型和p型半导体层形成的pin结构，该结构在底座上至少重复一次，该方法包括(a)淀积构成反射层的材料，在200-500度的衬底温度下形成反射层；(b)步骤(a)后，将衬底温度降低至100度或更低；(c)步骤(b)后，在反射层上淀积构成反射增强层的材料，在200-400度的衬底温度下形成反射增强层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 光电 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造光电器件的方法，这种光电器件包括：由衬底和在衬底上重叠形成的反射层和反射增强层构成的底座部分；用非单晶层作为晶体结构并包含硅原子的ｎ型，ｉ型和ｐ型半导体层形成的ｐｉｎ结构，这种ｐｉｎ结构在底座上至少重复一次，这种方法包括以下步骤：（ａ）淀积构成反射层的材料，在２００－５００度的衬底温度下形成反射层；（ｂ）步骤（ａ）完成后，将衬底温度降低至１００度或更低；（ｃ）步骤（ｂ）完成后，在反射层上淀积构成反射增强层的材料，在２００－４００度的衬底温度下形成反射增强层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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