[发明专利]制造光电器件的方法

权利要求书

1.一种制造光电器件的方法，这种光电器件包括：由衬底和在衬底上重叠形成的反射层和反射增强层构成的底座部分；用非单晶层作为晶体结构并包含硅原子的n型，i型和p型半导体层形成的pin结构，这种pin结构在底座上至少重复一次，这种方法包括以下步骤：

(a)淀积构成反射层的材料，在200-500度的衬底温度下形成反射层；

(b)步骤(a)完成后，将衬底温度降低至100度或更低；

(c)步骤(b)完成后，在反射层上淀积构成反射增强层的材料，在200-400度的衬底温度下形成反射增强层。

2.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，在步骤(b)中，以1-50度/秒的速率降低衬底的温度。

3.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，在步骤(c)中，以10-100度/秒的速率升高衬底的温度。

4.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，在步骤(b)中，使用气体来降低衬底温度；该气体为至少从氢气，氦气和氩气构成的组中选出的一种。

5.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，反射层主要由银构成。

6.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，反射增强层主要由铝-硅合金构成。

7.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，反射增强层主要由氧化锌构成。

8.根据权利要求7的制造光电器件的方法，其中，反射增强层至少包含从Ag，Ni，Fe，Cr和Cu构成的组中选出的一种元素。

9.根据权利要求8的制造光电器件的方法，其中，选自Ag，Ni，Fe，Cr和Cu构成的组中的至少一种元素的量位于10-10000ppm的范围内。

10.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，在步骤(a)中，中间层形成于衬底上，然后在上面形成反射层。

11.根据权利要求10的制造光电器件的方法，其中，中间层主要由铝-硅合金构成。

12.根据权利要求11的制造光电器件的方法，其中，在衬底温度为30-500度时在衬底上淀积构成中间层的材料以形成中间层。

13.根据权利要求10的制造光电器件的方法，其中，中间层主要由氧化锌构成。

14.根据权利要求13的制造光电器件的方法，其中，在衬底温度为30-500度时在衬底上淀积构成中间层的材料以形成中间层。

15.根据权利要求13的制造光电器件的方法，其中，中间层至少包含从Ag，Ni，Fe，Cr和Cu构成的组中选出的一种元素。

16.根据权利要求15的制造光电器件的方法，其中，选自Ag，Ni，Fe，Cr和Cu构成的组中的至少一种元素的量位于10-10000ppm的范围内。

17.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，衬底具有给定形状并顺次载入多个室中，反射层和反射增强层在各自分隔的室中形成。

18.根据权利要求1的制造光电器件的方法，其中，衬底具有带状并顺次载入多个室中，反射层和反射增强层连续形成于衬底上。

19.根据权利要求10的制造光电器件的方法，其中，衬底具有给定形状并顺次载入多个室中，中间层，反射层和反射增强层在各自分隔的室中形成。

20.根据权利要求10的制造光电器件的方法，其中，衬底具有带状并顺次载入多个室中，中间层，反射层和反射增强层连续形成于衬底上。