[发明专利]薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 96121157.1 | 申请日： | 1996-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1159072A | 公开（公告）日： | 1997-09-10 |
| 发明（设计）人： | 达拉姆·帕鲁·高赛因;约纳桑·韦斯特沃特;中越美弥子;碓井节夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈申贤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种简化而且可靠性提高了的制造方法。一种薄膜制造方法，包括在衬底表面上选择地形成光刻胶图形的第1步、在衬底表面和光刻胶图形表面形成薄膜的第2步、除去光刻胶图形以选择地除去其上淀积的薄膜即去掉的第3步，由此制成有所要求图形的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1薄膜制造方法，包括下列各步骤：衬底表面上选择地形成光刻胶图形；在所述衬底表面和所述光刻胶图形表面上形成薄膜；和除去所述光刻胶图形，以选择除去其上的所述薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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