[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1薄膜制造方法，包括下列各步骤：

衬底表面上选择地形成光刻胶图形；

在所述衬底表面和所述光刻胶图形表面上形成薄膜；和

除去所述光刻胶图形，以选择除去其上的所述薄膜。

2按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，用湿法进行所述光刻胶图形的所述除去步骤。

3按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，用能量来辐照进行所述光刻胶图形的所述除去步骤。

4按权利要求3的薄膜制造方法，其特征是，所述能量束是准分子激光束。

5按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，所述薄膜是能转换或吸收能量束的薄膜。

6按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，用能量束辐照剥落进行所述光刻胶图形的去除步骤。

7按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，所述光刻胶图形是用有机材料制造的。

8按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，所述薄膜是用半导体材料制造的。

9按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，所述薄膜是用硅(Si)制造的。

10按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，所述薄膜是用含杂质层形成的。

11按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，所述光刻胶图形除去和所述薄膜的所述选择去除后，还用清洁所述衬底表面和所述薄膜表面的步骤。

12按权利要求11的薄膜制造方法，其特征是，用紫外线臭氧处理进行所述清洁步骤。

13按权利要求1的薄膜制造方法，其特征是，形成光刻胶图形后，进行热处理，使所述光刻胶图形流延。

14薄膜半导体器件的制造方法，包括下列各步骤：

衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅绝缘膜；

所述栅绝缘膜上形成对应于所述栅电极的光刻胶图形；

淀积含杂质层以覆盖所述光刻胶图形；和

除去所述光刻胶图形，然后，选择除去其上的所述含杂质层，形成源区和漏区。

15按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，所述含杂质层是含杂质的半导体层。

16按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，所述源区和漏区形成后，整个地形成本征或低浓度半导体层。

17按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，所述栅绝缘膜形成之后，所述光刻胶图形形成之前，形成本征或低浓度半导体层。

18按权利要求16的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，用热处理所述本征或低浓度半导体层使其结晶化的步骤。

19按权利要求17的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，用热处理所述本征或低浓度半导体层使其结晶化的步骤。

20按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，用湿法进行所述光刻胶图形的去除步骤。

21按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，用能量束辐照进行所述光刻胶图形的去除步骤。

22按权利要求21的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，所述能量束是准分子激光束。

23按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，所述含杂质层是能转换或吸收能量束的薄膜。

24按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，用能量束辐照脱落进行所述光刻胶图形的除去步骤。

25按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，所述光刻胶图形是用有机材料制造的。

26按权利要求14的薄膜半导体器件的制造方法，其特征是，在所述光刻胶图形形成后，进行热处理，使所述光刻胶图形流延到所述栅绝缘膜上。