[发明专利]金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件无效
| 申请号： | 96118788.3 | 申请日： | 1996-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1181633A | 公开（公告）日： | 1998-05-13 |
| 发明（设计）人： | 弓小武;刘玉书;樊昌信 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/70 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利事务所 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体器件,该器件主要解决现有半导体器件导通电阻大,导通电流密度小的问题。采用在金属氧化物MOS功率场效应管结构中引进寄生的双极晶体管Q,并将两者集成在一起的方案,实现复合型结构的MBMT器件。该器件主要包括有一个n+衬底,一个n－外延层,两个铝连接点6、9,外延层n－上分别设置一个p+和一个p－区,铝接点6连接n+与p+区,铝接点9连接p－区与n+区。p+区的位置设在远离阴极区的地方,使阴极处的n+外围只存在p－区。此器件具有输入阻抗高,高耐压,导通电流大的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 场效应 晶体管 双极晶体管 复合 结构 器件 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件，包括一个n+衬底，一个n-外延层，两个铝接点(6)与(9)，两个栅极区(1)与(2)、在外延层n-设置一个p+结和一个p-结，两个铝接点(6)与(9)之间设置有绝缘层(7)，两栅极区(1)与(2)各由多晶硅栅极G、栅氧化层4、p-区、n+区构成，其特征在于：①铝接点(6)连接n+与p+区，铝接点(9)连接p-与n+区，以在两个n+区形成一个较大的电阳R，并从铝接点(9)上引出阴极K，p+结的位置设在远离阴极K处，使阴极处的n+外围只存在p-区。②外延层n-与栅极区(1)的p-、n+区分别构成MOS管M1的漏极、衬底和源极；外延层n与阴极处的p-、n+区分别构成双极晶体管的集电极、基极和发射极；外延层n+与栅极区(2)的p-、n+分别构成MOS管M2的漏极、衬底和源极。③两MOS管M1、M2的栅极相连构成器件的阳极，M1管的源极与双极晶体管Q的基极相连，同时通过电阻R与双极晶体管Q的发射极和M2管的源极相连构成器件的阴极。
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