[发明专利]金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件

权利要求书

1.一种金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件，包括一个n⁺衬底，一个n^-外延层，两个铝接点(6)与(9)，两个栅极区(1)与(2)、在外延层n^-设置一个p⁺结和一个p^-结，两个铝接点(6 )与(9)之间设置有绝缘层(7)，两栅极区(1)与(2)各由多晶硅栅极G、栅氧化层4、p^-区、n⁺区构成，其特征在于：

①铝接点(6)连接n⁺与p⁺区，铝接点(9)连接p^-与n⁺区，以在两个n⁺区形成一个较大的电阳R，并从铝接点(9)上引出阴极K，p⁺结的位置设在远离阴极K处，使阴极处的n⁺外围只存在p^-区。

②外延层n^-与栅极区(1)的p^-、n⁺区分别构成MOS管M₁的漏极、衬底和源极；外延层n与阴极处的p^-、n⁺区分别构成双极晶体管的集电极、基极和发射极；外延层n⁺与栅极区(2)的p^-、n⁺分别构成MOS管M₂的漏极、衬底和源极。

③两MOS管M₁、M₂的栅极相连构成器件的阳极，M₁管的源极与双极晶体管Q的基极相连，同时通过电阻R与双极晶体管Q的发射极和M₂管的源极相连构成器件的阴极。