[发明专利]用于单个晶片工具的晶片温度就地控制装置

摘要

用于单个晶片腐蚀工具的温度控制装置，包括阴极电极、隔离层、和卡盘装置，它们垂直地叠置，以支承待腐蚀的晶片。在隔离层与卡盘装置之间设置有热电元件层。热电元件层包括由多个Peltier元件连接成的中心区闭合环，和多个Peltier元件连接成的外部区闭合环。中心区闭合环与功率源耦连，并排列成与晶片的中心区相互对应。外部区闭合环与功率源耦连，并排列成与晶片的外部区相互对应。因而，用一个闭合环单独地控制晶片的每个特定区的相关温度。

主权项

1、一种温度控制装置，它用于单个晶片腐蚀工具，该温度控制装置有阴极电极，夹持晶片用的卡盘装置，该卡盘装置安装在阴极电极上，其中卡盘装置在给定温度支承晶片，其特征是，包括有多个热电元件的热电层，所述热电层处于阴极电极与卡盘之间，所述热电层包括多个闭合环，每个所述闭合环是由相当的所述多个热电元件连接构成，其中每个闭合环按所述晶片的特定区域排列，和耦合到每个所述闭合环的装置，是用于对有给定温度指示的每个闭合环提供控制电压；其中，用所述闭合环中的一个，控制所述晶片的每个特定区域的相关温度。