[发明专利]用于单个晶片工具的晶片温度就地控制装置

权利要求书

1、一种温度控制装置，它用于单个晶片腐蚀工具，该温度控制装置有阴极电极，夹持晶片用的卡盘装置，该卡盘装置安装在阴极电极上，其中卡盘装置在给定温度支承晶片，其特征是，包括有多个热电元件的热电层，所述热电层处于阴极电极与卡盘之间，所述热电层包括多个闭合环，每个所述闭合环是由相当的所述多个热电元件连接构成，其中每个闭合环按所述晶片的特定区域排列，和

耦合到每个所述闭合环的装置，是用于对有给定温度指示的每个闭合环提供控制电压；

其中，用所述闭合环中的一个，控制所述晶片的每个特定区域的相关温度。

2、按权利要求1的温度控制装置，其中，所述温度控制装置包括处于所述热电层与所述阴极电极之间的隔离层。

3、按权利要求1的温度控制装置，其中，所述卡盘装置包括静电卡盘。

4、按权利要求1的温度控制装置，其特征是，所述卡盘装置包括机械卡盘。

5、按权利要求1的温度控制装置，其中，所述卡盘装置包括真空卡盘。

6、按权利要求1的温度控制装置，其中，所述每个闭合环中连接的相当的多个热电元件中的至少一个热电元件上设置有温度传感装置。

7、按权利要求6的温度控制装置，其中，所述温度传感装置是热偶。

8、按权利要求6的温度控制装置，其中，所述温度传感装置是耐温检测器。

9、按权利要求6的温度控制装置，其中，所述温度传感装置是热敏电阻器。

10、按权利要求1的温度控制装置，其中，至少一个所述电源装置连接到低通滤波器。

11、按权利要求1的温度控制装置，其中，所述热电层包括多个Peltier元件。

12、按权利要求1的温度控制装置，其中，对每个所述闭合环提供控制电压的所述装置包括多个电压源。

13、按权利要求1的温度控制装置，其中，电热层包括中心区闭合环和外部区闭合环，其中所述中心区闭合环控制所述晶片的中心区的相关温度，所述外部区闭合环控制所述晶片外部区的相关温度。

14、按权利要求1的温度控制装置，其中，用所述闭合环中相应的一个闭合环增加所述晶片的特定区域中的至少一个区域的相关温度。

15、按权利要求1的温度控制装置，其中，用闭合环的相应一个闭合环降低所述晶片的所述特定区域中的至少一个区域的相关温度。

16、按权利要求1的温度控制装置，其中，能由多个所述热电元件中的至少一个确定所述晶片的每个特定区的相关温度。

17、一种温度控制装置，它用于单个晶片腐蚀工具，该温度控制装置有阴极电极、隔离层、和卡盘装置、隔离层处于阴极电极上，卡盘位于隔离层上、其中卡盘支承有中心区和外部区的晶片，其特征是，包括：

位于隔离层与卡盘装置之间的Peltier元件层，所述Peltier元件层有两个闭合环，其中中心区闭合环连接多个对应于所述晶片中心区的Peltier元件，其中外部区闭合环连接多个对应于所述晶片外部区的多个Peltier元件，和

耦合到所述两个闭合环中的每一个闭合环的装置，对每个有给定温度指示的两个所述闭合环提供控制电压；

其中所述中心区闭合环控制所述晶片的中心区的相关温度，其中所述外部区闭合环控制所述晶片的外部区的相关温度。

18、按权利要求17的温度控制装置，其中，从所述多个热电元件的至少一个能确定所述晶片的所述中心区相关的温度和所述晶片的所述外部区的相关的所述温度。

19、按权利要求17的温度控制装置，其中，所述Peltier元件层包括多个Peltier元件，所述多个Peltier元件相应于所述晶片的所述中心区，它至少是所述Peltier元件量的25％。

20、一种温度控制装置，它用于单个晶片腐蚀工具，包括：

一个室，一个温度控制支承件，所述温度控制件封装在所述室内，所述温度控制支承件有阴极电极、隔离层、卡盘装置，其中所述隔离层安装在所述阴极电极上，所述卡盘装置位于所述隔离层上；

所述阴极电极中形成有通孔，所述通孔构成闭合环冷却管线的一部分，所述闭合环冷却管线包括泵和容器，其中的冷却剂用泵使其通过闭合冷却管线以冷却所述温度控制支承件，

所述卡盘装置支承有中心区和外部区的晶片，所述中心区和所述外部区均有特定的温度，

所述卡盘所述晶片之间形成许多间隙，其中，在所述许多间隙中加给定量的氦气，

Peltier元件层设置在隔离层与卡盘装置之间，所述Peltier元件层包括多个Peltier元件连接的两个闭合环，其中，中心区闭合环连接与所述晶片的中心区对应的多个peltier元件，其中外部区闭合环连接与所述晶片的所述外部区对应的多个Peltier元件；

耦合到两个闭合环的每个闭合环的装置，用于对有给定的温度指示的两个闭合环中的每个闭合环提供控制电压，

其中，所述中心区闭合环控制所述晶片的所述中心区的温度，所述外部区闭合环控制所述晶片的所述外部区的温度。