[发明专利]薄膜磁头无效
| 申请号： | 96111201.8 | 申请日： | 1996-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1148711A | 公开（公告）日： | 1997-04-30 |
| 发明（设计）人： | 高田昭夫;柴田拓二;本田忠行 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在磁稳定性方面优越并能产生高重放功率的磁阻效应薄膜磁头。该薄膜磁头带有层叠在一起以形成一个磁阻效应元件3的一个连一层抗磁膜或一层硬磁膜在内的磁阻效应稳定层11、一个无磁绝缘层12及一个连一层磁阻效应膜在内的磁阻效应层13。该薄膜磁头还带有一个布置在磁阻效应元件3的一个横向表面上的无磁绝缘层4和一对连接到磁阻效应元件3上部表面两端上的磁阻效应层13上的电极。利用磁阻效应层13的磁阻效应探测重放信号。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁头，包括：一个磁阻效应元件，其带有层叠在一起的一个包括一个硬磁层在内的磁阻效应稳定层、一个无磁绝缘层和一个包括一层磁阻效应膜在内的磁阻效应层；一个无磁绝缘层，布置在所述磁阻效应元件的一个横向表面上；及一对电极，连接到在所述磁阻效应元件上部表面两端的所述磁阻效应层上；其中，改进措施在于通过所述磁阻效应层的磁阻效应探测重放信号中。
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