[发明专利]薄膜磁头无效
| 申请号： | 96111201.8 | 申请日： | 1996-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1148711A | 公开（公告）日： | 1997-04-30 |
| 发明（设计）人： | 高田昭夫;柴田拓二;本田忠行 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 | ||
1.一种薄膜磁头，包括：
一个磁阻效应元件，其带有层叠在一起的一个包括一个硬磁层在内的磁阻效应稳定层、一个无磁绝缘层和一个包括一层磁阻效应膜在内的磁阻效应层；
一个无磁绝缘层，布置在所述磁阻效应元件的一个横向表面上；及
一对电极，连接到在所述磁阻效应元件上部表面两端的所述磁阻效应层上；
其中，改进措施在于通过所述磁阻效应层的磁阻效应探测重放信号中。
2.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中，磁阻效应稳定层由层叠在一起的一层硬磁膜和一层软磁膜形成。
3.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中，所述磁阻效应稳定层的总量大于所述磁阻效应层的总量。
4.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中，所述磁阻效应稳定层的厚度大于所述磁阻效应层的厚度。
5.根据权利要求1所述的薄膜磁头，其中，所述磁阻效应层包括一层形成在一层底部薄膜上的磁阻效应膜。
6.一种薄膜磁头，包括：
一个磁阻效应元件，其带有层叠在一起的一个包括一个抗磁层在内的磁阻效应稳定层、一个无磁绝缘层和一个包括一层磁阻效应膜在内的磁阻效应层；
一个无磁绝缘层，布置在所述磁阻效应元件的一个横向表面上；及
一对电极，连接到所述磁阻效应元件上部表面两端的所述磁阻效应层上；
其中，改进措施在于通过所述磁阻效应层的磁阻效应探测重放信号中。
7.根据权利要求6所述的薄膜磁头，其中，磁阻效应稳定层由层叠在一起的一层抗磁膜和一层磁膜形成。
8.根据权利要求6所述的薄膜磁头，其中，所述磁阻效应稳定层的饱和磁通总量大于所述磁阻效应层的饱和磁通总量。
9.根据权利要求6所述的薄膜磁头，其中，所述磁阻效应稳定层的厚度大于所述磁阻效应层的厚度。
10.根据权利要求6所述的薄膜磁头，其中，所述磁阻效应层包括一层形成在一层底部薄膜上的磁阻效应膜。
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