[发明专利]磁致电阻元件和传感器无效
| 申请号： | 96109802.3 | 申请日： | 1996-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1088917C | 公开（公告）日： | 2002-08-07 |
| 发明（设计）人： | 林一彦;藤方润一;山本英文;石原邦彦;中田正文 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂,卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一磁致电阻元件通常包括依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。 | ||
| 搜索关键词： | 致电 元件 传感器 | ||
【主权项】：
1.一磁致电阻元件，其特征在于：它顺序地包括：一抗铁磁性层、一第一铁磁层、一非磁性层和一软磁性材料制成的第二铁磁性层，所述抗铁磁性层其厚度为5-30毫微米，并且是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、及一包括镍氧化物的薄膜和钴氧化物薄膜的叠层中的一种制成的，所述的第一和第二铁磁性层有1-10毫微米的厚度，所述磁致电阻元件具有0.1至1毫米的元件高度。
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