[发明专利]磁致电阻元件和传感器

权利要求书

1.一磁致电阻元件，其特征在于：它顺序地包括：一抗铁磁性层、一第一铁磁层、一非磁性层和一软磁性材料制成的第二铁磁性层，所述抗铁磁性层其厚度为5-30毫微米，并且是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、及一包括镍氧化物的薄膜和钴氧化物薄膜的叠层中的一种制成的，所述的第一和第二铁磁性层有1-10毫微米的厚度，所述磁致电阻元件具有0.1至1毫米的元件高度。

2.根据权利要求1所述的磁致电阻元件，其特征在于所述的第一和第二铁磁性层设置有一0.45至0.55的交叉点。

3.根据权利要求1所述的磁致电阻元件，其特征在于还包括有在所述的第一铁磁层性和非磁性层之间的第一钴层在所述非磁性和第二铁磁性层之间的第二钴层。

4.根据权利要求1所述的磁致电阻元件，其特征在于所述的抗铁磁性层中镍原子对镍和钴原子总数的比率不低于0.25。

5.根据权利要求1所述的磁致电阻元件，其特征在于所述的第一和第二铁磁性层中至少一个包含镍铁、镍铁钴、镍钴和钴中的一种作为主要成分。

6.根据权利要求1所述的磁致电阻元件，其特征在于所述的非磁性层包含铜、铜中加入银和铜中加入铼的一种作为主要成分。

7.一种磁致电阻传感器，其特征在于，包括一基层、在所说的基层上顺序地形成有一定图形的下屏蔽层和下间隙层；在所说的下间隙层上形成一活性层，以及一磁致电阻元件和成形在所述磁致电阻元件的一边缘上用于对所述的磁致电阻元件提供偏置磁场的纵向偏磁层，以及在所说活性层上依次形成的一上间隙层和一上屏蔽层；

所述的磁致电阻元件包括一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一软磁材料的第二铁磁性层顺序地成形在所述下间隙层上，所述的抗铁磁性层有5-30毫微米的厚度并且是用镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物及包括镍氧化物薄膜和钴氧化物薄膜的叠片中的一种制作，所述的第一和第二铁磁性层有1-10毫微米厚，所述的磁致电阻元件的高度为0.1至1毫微米。

8.根据权利要求7所述的磁致电阻传感器，其特征在于所述的第一和第二铁磁性层提供的交叉点为0.45-0.55。

9.根据权利要求7所述的磁致电阻传感器，其特征在于还包括有一在所述的第一铁磁性层和非磁性层之间的第一钴层和在所述的非磁性层和第二铁磁性层之间的第二钴层。

10.根据权利要求7所述的磁致电阻传感器，其特征在于所述的抗铁磁性层中镍原子对镍和钴原子总和的比率不低于0.25。

11.根据权利要求7所述的磁致电阻传感器，其特征在于所述的第一和第二铁磁性层中至少包含有镍铁、镍铁钴、镍钴和钴中的一种作为主要成分。

12.根据权利要求7所述的磁致电阻传感器，其特征在于所述的非磁性层包含铜、铜加银和铜加铼中的一种作为主要成分。