[发明专利]用于改善无位错性能的表面处理过的坩埚无效
| 申请号： | 96102289.2 | 申请日： | 1996-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1096506C | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 里查德·Ｌ·翰森;罗伯特·Ｄ·谢里;拉里·Ｅ·德拉法;罗伯特·Ｍ·麦卡琴;约翰·Ｄ·霍尔德;里昂·Ａ·艾伦 | 申请（专利权）人： | ＭＥＭＣ电子材料有限公司;通用电器公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在晶体生长过程中熔化并容纳半导体材料的坩埚。此坩埚包含一个带有底壁和从底壁向上延伸并界定用来容纳熔融的半导体材料的腔体的侧壁结构的透明石英本体。侧壁结构有一个内表面和一个外表面。第一基本上析晶化的石英层促进内表面的均匀融化并从而在晶体从熔融半导体材料拉出时，显著地减小了结晶石英粒子向熔融半导体材料的释放。第二基本上析晶化的石英层加强了透明石英本体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 无位错 性能 表面 处理 坩埚 | ||
【主权项】：
1.一种用于在晶体生长过程中熔化并盛装半导体材料的熔融石英坩埚，该熔融石英坩埚具有至少12英寸的直径并且还包括：一个透明石英本体，具有一个底壁和一个从底壁向上延伸并界定用以盛装熔融半导体材料的腔体的侧壁结构，该侧壁结构和该底壁都带有一个内表面和一个外表面；及在侧壁结构的内表面或外表面上的浓度至少为约0.1mM/1000cm2的氢氧化钡，它被用作第一消玻促进剂；在侧壁结构内表面或外表面上的氢氧化钡的分布使在晶体生长过程中当半导体材料被在坩埚中熔化时，在坩埚的内表面或外表面上形成一个基本上消玻化的第一石英层，该基本上消玻化的第一石英层使之，当其在侧壁结构的内表面上时，在晶体从熔融的半导体材料中拉出时，它能够促进内表面的均匀融化并减少结晶石英粒子向熔融半导体材料释放，而当其在侧壁结构的外表面上时，它能够加强透明石英本体。
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