[发明专利]用于改善无位错性能的表面处理过的坩埚

权利要求书

1.一种用于在晶体生长过程中熔化并盛装半导体材料的熔融石英坩埚，该熔融石英坩埚具有至少12英寸的直径并且还包括：

一个透明石英本体，具有一个底壁和一个从底壁向上延伸并界定用以盛装熔融半导体材料的腔体的侧壁结构，该侧壁结构和该底壁都带有一个内表面和一个外表面；及

在侧壁结构的内表面或外表面上的浓度至少为约0.1mM/1000cm²的氢氧化钡，它被用作第一消玻促进剂；在侧壁结构内表面或外表面上的氢氧化钡的分布使在晶体生长过程中当半导体材料被在坩埚中熔化时，在坩埚的内表面或外表面上形成一个基本上消玻化的第一石英层，该基本上消玻化的第一石英层使之，当其在侧壁结构的内表面上时，在晶体从熔融的半导体材料中拉出时，它能够促进内表面的均匀融化并减少结晶石英粒子向熔融半导体材料释放，而当其在侧壁结构的外表面上时，它能够加强透明石英本体。

2.权利要求1的坩埚，其中的氢氧化钡在侧壁结构的内表面上。

3.权利要求2的坩埚，其中的氢氧化钡在底壁的内表面上。

4.权利要求2的坩埚，其中的底壁内表面没有氢氧化钡。

5.权利要求1的坩埚，其中的氢氧化钡在侧壁结构的外表面上。

6.权利要求5的坩埚，其中的底壁外表面没有氢氧化钡。

7.权利要求5的坩埚还包含一个在侧壁结构内表面上的第二消玻促进剂。

8.权利要求6的坩埚还包含一个在侧壁结构内表面上的第二消玻促进剂。

9.权利要求7或8的坩埚，其中的第二消玻促进剂在底壁内表面上。

10.权利要求7或8的坩埚，其中的底壁内表面没有第二消玻促进剂。

11.权利要求7的坩埚，其中的第二消玻促进剂包括选自由钡、镁、锶和铍构成的族的一种碱土金属。

12.权利要求8的坩埚，其中的第二消玻促进剂包括选自由钡、镁、锶和铍构成的族的一种碱土金属。

13.权利要求9的坩埚，其中的第二消玻促进剂包括选自由钡、镁、锶和铍构成的族的一种碱土金属。

14.权利要求10的坩埚，其中的第二消玻促进剂包括选自由钡、镁、锶和铍构成的族的一种碱土金属。

15.权利要求11-14之一中的坩埚，其中的第二消玻促进剂是碱土金属的一种氧化物、氢氧化物、碳酸盐、草酸盐、硅酸盐、过氧化物、氟化物或氯化物。

16.权利要求11-14之一中的坩埚，其中的第二消玻促进剂的浓度为每1000cm²表面上约0.1mM-约50mM碱土金属。

17.权利要求11-14之一中的坩埚，其中的氢氧化钡的浓度为每1000cm²表面上约0.1mM-约0.6mM。

18.权利要求11-14之一中的坩埚，其中的氢氧化钡的浓度为每1000cm²表面上约0.15mM-约0.3mM。

19.权利要求7或8的坩埚，其中的第二消玻促进剂的浓度为每1000cm²表面上约0.1mM-约12mM碱土金属。

20.权利要求7或8的坩埚，其中的第二消玻促进剂的浓度为每1000cm²表面上约0.3mM-约0.6mM碱土金属。

21.权利要求5或6的坩埚，其中侧壁结构的外表面和底壁的外表面基本上没有碱金属。

22.权利要求1的坩埚，其中熔融半导体材料是硅。

23.权利要求11-14之一中的坩埚，其中的第二消玻促进剂包含钡。