[实用新型]多晶硅膜微压传感器无效
| 申请号： | 95239084.1 | 申请日： | 1995-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN2228226Y | 公开（公告）日： | 1996-05-29 |
| 发明（设计）人： | 茅盘松 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,魏学成 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 多晶硅膜微压传感器可用于低压和低真空系统中测量压力和真空度，采用高阻硅衬底和桥式结构多晶硅膜构成，其真空参考腔由两者在亚真空系统中沉积SiO2层实现真空封接，真空参考腔电容极板分别由衬底的重掺杂层和多晶硅重掺杂构成，其间距采用沉积SiO2层的度决定，控制精度高，具有结构简单、工艺方便、体积小和成本低等优点，不需要进行双面光刻对准和玻璃与硅的键合，便于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅膜微压 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种用于低压和低真空系统测量压力和真空度的微压传感器，由衬底、硅膜和真空参考腔构成，其特征在于衬底采用高阻硅材料，硅膜为多晶硅薄膜，下电极采用衬底表面重掺杂层构成，上电极为重掺杂多晶硅构成，真空参考腔采用在亚真空系统中沉积二氧化硅(SiO2)层构成真空封接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95239084.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高强度竹胶层积板阻燃地板条
- 下一篇：砂光机开关防尘装置
