[实用新型]多晶硅膜微压传感器无效
| 申请号： | 95239084.1 | 申请日： | 1995-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN2228226Y | 公开（公告）日： | 1996-05-29 |
| 发明（设计）人： | 茅盘松 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,魏学成 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 硅膜微压 传感器 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于低压和低真空系统测量压力和真空度的微压传感器，由衬底、硅膜和真空参考腔构成，其特征在于衬底采用高阻硅材料，硅膜为多晶硅薄膜，下电极采用衬底表面重掺杂层构成，上电极为重掺杂多晶硅构成，真空参考腔采用在亚真空系统中沉积二氧化硅(SiO2)层构成真空封接。
2、根据权利要求1所述的微压传感器，其特征在于真空参考腔的间距采用沉积SiO2层控制，在沉积多晶硅层后，再腐蚀去除SiO2层构成，其间距为1～4μm。
3、根据权利要求1或2所述的微压传感器，其特征在于多晶硅层采用桥式结构，其厚度为0.3～2μm。
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