[实用新型]用于制备薄膜的单晶硅辐射式加热器无效
| 申请号： | 95224595.7 | 申请日： | 1995-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN2265986Y | 公开（公告）日： | 1997-10-29 |
| 发明（设计）人： | 周岳亮;吕惠宾;崔大复;陈正豪;熊旭明;李春苓 | 申请（专利权）人： | 中科院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京元中专利事务所 | 代理人： | 王凤华,高存秀 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种薄膜制备技术，特别是涉及一种薄膜制备中用加热器制造技术领域。本实用新型为了制备均匀厚度的大面积双面超导薄膜，从而提供一种由单晶硅加工成凹型的加热板，它通过金属夹板把电极固定在辐射屏蔽架子上构成单晶硅辐射基片加热器。该加热器使用温度达1000℃，恒温区可达70×70mm2，它不仅可适于制备单面薄膜，而且适于制备双面薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 薄膜 单晶硅 辐射 加热器 | ||
【主权项】：
1.一种由单晶硅加热片、电极、夹板组成的用于制备薄膜的单晶硅辐射加热器，其特征在于：单晶硅做成型加热板①并在凹槽两边各有一凸出平台，它的两端通过夹板②与两根金属箔电极③固定；
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