[实用新型]用于制备薄膜的单晶硅辐射式加热器无效
| 申请号： | 95224595.7 | 申请日： | 1995-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN2265986Y | 公开（公告）日： | 1997-10-29 |
| 发明（设计）人： | 周岳亮;吕惠宾;崔大复;陈正豪;熊旭明;李春苓 | 申请（专利权）人： | 中科院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京元中专利事务所 | 代理人： | 王凤华,高存秀 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制备 薄膜 单晶硅 辐射 加热器 | ||
【权利要求书】：
1.一种由单晶硅加热片、电极、夹板组成的用于制备薄膜的单晶硅辐射加热器，其特征在于：单晶硅做成型加热板①并在凹槽两边各有一凸出平台，它的两端通过夹板②与两根金属箔电极③固定；
2.按权利要求1所述的用于制备薄膜的单晶硅辐射加热器，其特征在于：还包括在单晶加热板两端通过夹板与电极同时固定一屏蔽架子④；
3.按权利要求1所述的用于制备薄膜的单晶硅辐射加热器，其特征在于：屏蔽架子④包括1-8层的不锈钢片或镀上反光层的石英片叠层组成。
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