[发明专利]射频功率晶体管的镇流监控

摘要

一般说来，本发明提供了一种器件和方法，由此流经RF功率晶体管的电流不需采用任何外部元件而得到监控。更具体地，根据本发明的一个实施方案，RF功率晶体管包括硅片、一对形成在硅片上的交指电极，每个电极具有许多平行电极指和至少一个焊盘。第一类型扩散区形成在这对交指电阻中一个电极的电极指下面，第二类型扩散区形成在这对交指电极中另一个电极的电极指下面。一个电极有多个电极指和多个形成在硅片上的电阻，至少有一个电阻和每个电极指串联连接。另一个电极形成时具有至少一个电极指并连接到另一个焊盘，而且至少有一个电阻形成在硅片上，并和这另一个电极串联连接。根据本发明的另一个实施方案，提供了一种方法在RF晶体管电路中监测和控制集成RF晶体管中的电流。集成RF晶体管具有多个发射极镇流电阻和一个电路，包括监控电流的焊盘。RF晶体管电路包括连接到焊盘的偏压控制和反馈电路。流经至少一个发射极镇流电阻的电流被导向监控电流的电路。通过采用偏压控制和反馈电路，流经集成RF晶体管的电流受到影响。

主权项

1.一种射频(RF)功率晶体管，包括：硅片；在硅片中形成第一导电类型的多个第一掺杂区；在硅片中形成第二导电类型的多个第二掺杂区，部分第二掺杂区与第一掺杂区交指；在硅片中形成第一导电类型的第三掺杂区，第三掺杂区与另一部分第二掺杂区交指；第一电极具有覆盖多个第一掺杂区的多个第一电极指；第二电极具有覆盖多个第二掺杂区的多个第二电极指；第三电极具有至少一个覆盖第三掺杂区的电极指；第一焊盘；形成在硅片上的许多电阻，许多电阻中的每个电阻在对应的第一电极的电极指与第一焊盘之间串联连接；第二焊盘连接到第二电极；第三焊盘；以及形成在硅片上的另一电阻，并且在所述第三电极的至少一个电极指与第三焊盘之间串联连接。