[发明专利]探测短暂受激发光的方法无效

专利信息
申请号: 95193305.1 申请日: 1995-05-17
公开(公告)号: CN1149336A 公开(公告)日: 1997-05-07
发明(设计)人: B·达尼尔兹克;G·L·杜维耐克;M·赫明格;D·尼沙夫尔;J·塞格纳 申请(专利权)人: 希巴-盖吉股份公司
主分类号: G01N21/77 分类号: G01N21/77;G01N21/64
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 樊卫民
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种利用平面介电光学传感器平台测定发光的方法,该平台由其上施加了一层透明波导层(b)的透明基底(a)组成,传感器平台设有一个耦合光栅,用于激励光的输入耦合,所述基底(a)的折射率低于波导层(b)的折射率,使液体样品作为上层与层(b)相接触,用光电方法测量样品中具有发光特性的物质产生的发光,或固定在层(b)上具有发光特性的物质产生的发光。本发明还涉及本方法在定量亲和性测试中的应用,以及将其使用于定量测定光学混浊液中发光成分,以及实施所述方法用的传感器平台。
搜索关键词: 探测 短暂 激发 方法
【主权项】:
1.一种利用平面介电光学传感器平台测定发光的方法,该平台由其上涂敷一薄层透明波导层(b)的透明基底(a)组成,传感器平台设有一个耦合光栅,用于激励光的输入耦合,所述基底(a)的折射率低于波导层(b)的折射率,使液体样品作为上层与层(b)相接触,用光电方法测量样品中具有发光特性的物质所产生的发光,或固定在层(b)上的具有发光特性的物质所产生的发光,用耦合光栅将激励光耦合到平面波导内,使光渡越波导层,于是,使具有发光性质的物质受到激励,在波导层的短暂场内产生发光,该方法包括利用厚度小于激励辐射波长λ的波导层,该波导层由在激励辐射波长时的其折射率≥1.8的材料组成,并用与第一耦合光栅空间上分开的第二耦合光栅从波导层耦合出,并探测反向耦合到波导层(b)内的发光辐射。
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