[发明专利]氮化硅烧结体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 95191835.4 申请日: 1995-12-26
公开(公告)号: CN1059652C 公开(公告)日: 2000-12-20
发明(设计)人: 中畑成二;竹内久雄;山川晃 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C04B35/591 分类号: C04B35/591
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 徐汝巽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明缩短了制造氮化硅烧结体时反应烧结中的氮化时间,从而提高了生产率;并且通过反应烧结得到致密且高强的氮化硅烧结体。Si3N4烧结体的未配对电子浓度为1015~1021/cm3。市售Si粉末在非氮气气氛中于300~800℃下煅烧3~5小时得到未配对电子浓度为1015~1020/cm3的Si粉末,使用所得的Si粉末进行反应烧结得到氮化硅烧结体。特别是,在所得的Si粉末中添加烧结助剂的同时添加价态尤其为+1~+3价且其共价键半径RM与Si的共价健半径RSi之间有(RM-RSi)/RSi〈0.5的关系的元素或其化合物作为氮空位形成剂,并把所得的混合体进行反应烧结制造出Si3N4烧结体。
搜索关键词: 氮化 烧结 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种通过Si粉末的反应烧结得到的氮化硅烧结体,其特征在于氮化硅烧结体的未配对电子浓度为1015/cm3~1021/cm3,并且它含有元素换算值为0.1-15mol%的选自稀土元素、Al、Mg、Ca的至少一种元素,以及含有元素换算值为0.5-15mol%的价态为+1~+3价且其共价键半径RM与Si的共价键半径RSi之间有(RM-RSi)/RSi<0.5的关系的除Al、Mg、Ca以外的元素。
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