[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，此器件可对输入信号进行加权并求和。这种器件包括一些开关电容，其公共极电容板由p型硅衬底的表面区形成。区域和放大器的反相输入相连，放大器的正输入端接参考电压，放大器的输出给出求和的输出信号。输出可经过开关S反馈到输入。电容的另一极板由电极构成，它可在参考电压和输入源间切换。浮栅位于每个输入电极和表面区之间，加权因子以电荷形式储存于浮栅上。

主权项

1.一种用来对多个加权输入信号进行求和的半导体器件，它包含一个带有邻接于一个表面的第一导电类型的表面区的半导体主体，此表面配置有同表面区隔离的且具有电浮栅的电极结构，而且为了馈送待求和的信号而带有多个同半导体主体表面和浮栅电隔离的输入电极，这些电极被容性耦合于浮栅，其特征是由于浮栅电极同各个输入电极连接，提供了一些装置用来将电荷加至各个上述的浮栅电极，此电荷代表着加权因子，由此加权因子将馈至有关输入电极的输入信号进行加权，而且表面区经由pn结进入第二导电类型的半导体主体的邻接部分并构成一个用来储存其数值是由加权输入信号之和表示的电荷的电荷存储区，所提供的装置使表面区在第一工作态中可处于参考电位并在第二工作态中可处于电浮置电位。