[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种用来对多个加权输入信号进行求和的半导体器件，它包含一个带有邻接于一个表面的第一导电类型的表面区的半导体主体，此表面配置有同表面区隔离的且具有电浮栅的电极结构，而且为了馈送待求和的信号而带有多个同半导体主体表面和浮栅电隔离的输入电极，这些电极被容性耦合于浮栅，其特征是由于浮栅电极同各个输入电极连接，提供了一些装置用来将电荷加至各个上述的浮栅电极，此电荷代表着加权因子，由此加权因子将馈至有关输入电极的输入信号进行加权，而且表面区经由pn结进入第二导电类型的半导体主体的邻接部分并构成一个用来储存其数值是由加权输入信号之和表示的电荷的电荷存储区，所提供的装置使表面区在第一工作态中可处于参考电位并在第二工作态中可处于电浮置电位。

2.权利要求1所述的半导体器件，其特征是在工作过程中表面区电连接于微分放大器的一个输入，而放大器的另一输入连接到处于参考电位的一个结点。

3.权利要求2所述的半导体器件，其特征是提供了开关装置，从而可将放大器的输出连接到表面区并可将参考电压或输入信号加至输入电极。

4.权利要求2或3所述的半导体器件，其特征是表面区和放大器的输出经由一个反馈电容器而电互连。

5.权利要求4所述的半导体器件，其特征是反馈电容器包含一个导电的浮置区，位于连接构成反馈电容器一个极板的半导体主体的一个区和构成反馈电容器另一极板的导电层之间，用绝缘材料将表面区和插入的电浮置区隔离。

6.前述各权利要求中任何一个所述的半导体器件，其特征是提供了在工作过程中可交替地将输入信号和参考电压加至输入电极的装置。

7.前述各权利要求中任何一个所述的半导体器件，其特征是用隧道介质同浮栅分隔开的注入区同各个输入电极和相关的浮栅相连。

8.权利要求7所述的半导体器件，其特征是注入区由提供在第二导电类型的半导体主体的上述邻接区中而且同第一导电类型的表面区横向分隔开的第一导电类型的表面区域组成。

9.前述各权利要求中任何一个所述的半导体器件，其特征是提供了带有相关浮栅的多个输入电极，一个公共的输入信号以互不相同的方式加于其上。

10.权利要求9所述的半导体器件，其特征是上述输入电极的数目为四，而输入信号这样地加至输入电极，使当在表面区中引起电荷Q_d1的输入信号V_in加至第一输入电极而且引起电荷Q_d2的取-V_in形式的输入信号加至第二输入电极时，加于第三电极的输入信号以在表面区感生电荷-Q_d1的形式而施加，给出等于属于第一输入电极的加权因子的加权因子，而第四输入电极的输入信号以在表面区感生电荷-Q_d2的形式而施加，给出等于属于第二输入电极的加权因子的加权因子。

11.前述各权利要求中任何一个所述的半导体器件，其特征是表面区配置有一个或几个表面区构成整流结的区域，用这种结，通过加反向电压，可防止浮栅下导电类型的反转。