[发明专利]功率集成电路

摘要

单片式组件包含在整片第一导电类型低掺杂的半导体薄片内形成纵向功率半导体元件，其底表面用金属层均匀地覆盖。至少几个元件所谓独立元件在衬底的隔离区域内形成，其横向隔离是由第二导电类型的扩散墙提供的和其底部由于非导电薄层介入衬底的底表面和金属镀层之间而被隔离。

主权项

1.一种在具有底表面和上表面的第一导电类型低掺杂的半导体晶片中形成纵向功率半导体元件的单片式组件，其底表面均匀地覆盖一层金属镀层，其特征在于至少一个上述元件，所谓独立元件，在衬底的隔离区域内形成、由第二导电类型的扩散隔离墙(6)提供纵向隔离以及用夹在衬底底表面和上述金属镀层M之间的绝缘层(7)来隔离其底部。