[发明专利]形成半导体器件微细接触的方法

摘要

本发明提供了一种用于形成半导体器件的微细接触的方法，包括为在一半导体衬底上形成栅氧化膜；然后在其上形成多晶硅膜；在所得结构上形成第一绝缘膜；利用栅电极掩模腐蚀第一绝缘膜、多晶硅膜及栅氧化膜，以形成栅电极及栅氧化膜图形，同时露出部分半导体衬底等步骤。该方法能改善半导体器件的可靠性并实现了半导体器件的高集成化。

主权项

1．一种形成半导体器件微细接触的方法，包括以下各步骤：在一块半导体衬底上形成栅氧化膜；在栅氧化膜上形成用作栅电极的多晶硅膜；在多晶硅膜形成之后所得的结构上形成第一绝缘膜；使用一栅电极掩模连续腐蚀第一绝缘膜、多晶硅膜及栅氧化膜，因而形成一栅电极和栅氧化膜的图形，同时部分露出半导体衬底；在以第一绝缘膜作为掩模的条件下，向半导体衬底的裸露部分注入低浓度的杂质离子；在第一绝缘膜和栅电极的侧壁上形成绝缘膜间隔层；在以设置于半导体衬底的上部结构作为掩模的条件下，向半导体衬底的裸露部分注入高浓度的杂质离子，因而形成源、漏区；在源、漏区形成之后所得到的结构上，形成预期厚度的焊盘导电层；在焊盘导电层上形成第二绝缘膜，因而使结构平坦化；使用一接触掩模，在第二绝缘膜上形成光刻胶膜图形；以光刻胶膜图形作为掩模腐蚀第二绝缘膜，以致部分露出焊盘导电层；去掉光刻胶膜图形；选择生长焊盘导电层的裸露部分，因而形成第二导电层；以第二导电层作为掩模腐蚀第二绝缘膜，因而形成第二绝缘膜图形；腐蚀焊盘导电层和第二导电层；在腐蚀第二导电层之后所得到的结构上形成第三绝缘膜，因而使结构平坦化；全面腐蚀被第三绝缘膜平坦化的结构，直至露出第二绝缘膜图形，然后使所得结构平坦化；在平坦化的结构上形成预期厚度的用于位线的第三导电层；以及使用一位线掩模，腐蚀第三导电层，因而形成与半导体衬底相接触的位线。