[发明专利]电子发射阴极及其制造方法以及其应用无效
| 申请号： | 95118252.8 | 申请日： | 1995-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN1080923C | 公开（公告）日： | 2002-03-13 |
| 发明（设计）人： | 田中博由;小寺宏一;内田正雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J29/04;H01J31/12;H01L35/00;G09F9/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子发射阴极包括一个n型半导体膜，该膜包含部分地从该n型半导体膜表面上突出的金刚石颗粒；及一个与n型半导体膜对置的阳极，并在它们之间具有真空。利用在阳极与n型半导体膜之间施加电压使电子发射。$#! | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 阴极 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.电子发射阴极，包括：一个n型半导体膜，其包含从该n型半导体膜表面上部分地突出的金刚石颗粒，其中利用在一阳极与n型半导体膜之间施加一电压使电子发射。
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