[发明专利]电子发射阴极及其制造方法以及其应用无效
| 申请号: | 95118252.8 | 申请日: | 1995-10-05 | 
| 公开(公告)号: | CN1080923C | 公开(公告)日: | 2002-03-13 | 
| 发明(设计)人: | 田中博由;小寺宏一;内田正雄 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 | 
| 主分类号: | H01J1/30 | 分类号: | H01J1/30;H01J29/04;H01J31/12;H01L35/00;G09F9/00 | 
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇炜 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 发射 阴极 及其 制造 方法 应用 | ||
1.电子发射阴极,包括:一个n型半导体膜,其包含从该n型半导体膜表面上部分地突出的金刚石颗粒,
其中利用在一阳极与n型半导体膜之间施加一电压使电子发射。
2.根据权利要求1的电子发射阴极,其中金刚石颗粒是由P型半导体构成的。
3.电子发射阴极,包括:一个碳膜,其包含从该碳膜表面上部分地突出的金刚石颗粒,
其中利用在一阳极与碳膜之间施加一电压使电子发射。
4.根据权利要求3的电子发射阴极,其中碳膜是n型半导体或赝n型半导体。
5.根据权利要求3的电子发射阴极,其中碳膜包含作为n型杂质的氮,及部分的碳膜包含具有金刚石结构的颗粒。
6.根据权利要求3的电子发射阴极,其中所述碳膜是在该电子发射阴极的外表面上。
7.根据权利要求3的电子发射阴极,其中所述金刚石颗粒被部分地埋置在该碳膜中。
8.电子发射装置,包括;一个阴极,它由一个n型半导体膜组成,该膜包含部分地从该n型半导体膜的表面突出的金刚石颗粒;及一个与该n型半导体膜对置的阳极并在这两者之间设有真空,
其中利用在阳极及阴极之间施加一电压使电子从阴极发射出来。
9.电子发射装置,包括;一个由碳膜组成的阴极,该碳膜包含部分地从该碳膜表面突出的金刚石颗粒;及一个与该碳膜对置的阳极并在这两者之间设有真空;
其中利用在阳极及阴极之间施加一电压使电子从阴极发射出来。
10.根据权利要求8的电子发射装置,还包括设在阴极与阳极之间的一个栅极,该栅极具有孔,用于至少曝露阴极的一部分,其中利用在栅极上施加一电压使电子从阴极拉出。
11.根据权利要求10的电子发射装置,其中阴极及栅极被作成沿不同方向延伸的条,以致彼此相交叉,及该孔被设置成阴极与栅极交叉处中的孔。
12.根据权利要求9的电子发射装置,还包括设在阴极与阳极之间的一个栅极,该栅极具有孔,用于至少曝露阴极的一部分,其中利用在栅极上施加一电压使电子从阴极拉出。
13.根据权利要求12的电子发射装置,其中阴极及栅极被作成沿不同方向延伸的条,以致彼此相交叉,及该孔被设置成阴极与栅极交叉处中的孔。
14.平板显示器,包括:
一个支承衬底;
一个设在支承衬底上的阴极,它由一个n型半导体膜组成,该膜包含部分地从该n型半导体膜的表面突出的金刚石颗粒;
一个透明衬底;
形成在该透明衬底上的一透明电极;及
设置在透明电极表面的荧光物质,
其中支承衬底及透明衬底以这种方式布置,即阴极与荧光物质成彼此对置,及在支承衬底及透明衬底之间的内空间中设有一真空。
15.平板显示器,包括:
一个支承衬底;
一个设在支承衬底上的阴极,它由碳膜组成,该碳膜包含部分地从该碳膜表面突出的金刚石颗粒;
一个透明衬底;
形成在该透明衬底上的一透明电极;及
设置在透明电极表面的荧光物质,
其中支承衬底及透明衬底以这种方式布置,即阴极与荧光物质成彼此对置,及在支承衬底及透明衬底之间的内空间中设有一真空。
16.根据权利要求14的平板显示器,还包括设在阴极与荧光物质之间的一个栅极,该栅极具有孔,用于至少曝露阴极的一部分,其中利用在栅极上施加一电压使电子从阴极拉出。
17.根据权利要求16的平板显示器,其中阴极及栅极被作成沿不同方向延伸的条,以致彼此交叉,及该孔被设置在阴极与栅极交叉处中。
18.根据权利要求15的平板显示器,还包括设在阴极与荧光物质之间的一个栅极,该栅极具有孔,用于至少曝露阴极的一部分,其中利用在栅极上施加一电压使电子从阴极拉出。
19.根据权利要求18的平板显示器,其中阴极及栅极被作成沿不同方向延伸的条,以致彼此交叉,及该孔被设置在阴极与栅极交叉处中。
20.用于制造电子发射阴极的方法,包括下列步骤:
制备包括金刚石颗粒及n型半导体粉末或碳粉末的糊剂;
将该糊剂涂在一个衬底上;及
烧结涂在衬底上的糊剂。
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