[发明专利]在半导体器件中形成接触孔的方法

摘要

一种在半导体器件中形成接触孔的方法，它包括在接触区域上形成环形垫。环形垫在形成接触孔时可被用作蚀刻阻挡膜。该环形垫的使用使得很容易地形成具有临界尺寸的接触孔。根据该方法，便可以在形成接触孔时增大加工裕度用的提供具有临界尺寸的接触孔，同时保持相邻各导体之间的绝缘。

主权项

1.一种在半导体器件中形成接触孔的方法，它包括下列步骤：在半导体衬底上形成多个均匀间隔的导体，同时使各导体与半导体衬底绝缘；在导体形成之后所获得的结构上淀积第一绝缘膜，将第一绝缘膜平面化，然后在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜和第三绝缘膜；在与要形成接触孔的区域相对应的第三绝缘膜的部分上形成第一接触掩模；各向异性地蚀刻没被第一接触掩模覆盖的第三和第二绝缘膜各部分，由此形成第三和第二绝缘膜图形，然后以选择方式各向同性地蚀刻第二绝缘膜图形，由此形成变窄的第二绝缘膜的图形；除去第一接触掩模，然后在第三和第二绝缘膜图形的侧壁上形成环形垫；在垫形成之后所获得的结构上形成第四绝缘膜，然后在除与接触孔区域相对应的部分以外的第四绝缘膜上形成第二接触掩模；和蚀刻没被第二接触掩模覆盖的第四绝缘膜部分，除去第三和第二绝缘膜图形，然后在将环形垫用作蚀刻阻挡层的条件下各向异性地蚀刻设置在第二绝缘膜图形下的第一绝缘膜，由此形成具有临界尺寸的接触孔。