[发明专利]在半导体器件中形成接触孔的方法无效
申请号: | 95116843.6 | 申请日: | 1995-09-26 |
公开(公告)号: | CN1049299C | 公开(公告)日: | 2000-02-09 |
发明(设计)人: | 朴赞光;高尧焕;黄圣敏 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 形成 接触 方法 | ||
1.一种在半导体器件中形成接触孔的方法,它包括下列步骤:
在半导体衬底上形成多个均匀间隔的导体,同时使各导体与半导体衬底绝缘;
在导体形成之后所获得的结构上淀积第一绝缘膜,将第一绝缘膜平面化,然后在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜和第三绝缘膜;
在与要形成接触孔的区域相对应的第三绝缘膜的部分上形成第一接触掩模;各向异性地蚀刻没被第一接触掩模覆盖的第三和第二绝缘膜各部分,由此形成第三和第二绝缘膜图形,然后以选择方式各向同性地蚀刻第二绝缘膜图形,由此形成变窄的第二绝缘膜的图形;
除去第一接触掩模,然后在第三和第二绝缘膜图形的侧壁上形成环形垫;
在垫形成之后所获得的结构上形成第四绝缘膜,然后在除与接触孔区域相对应的部分以外的第四绝缘膜上形成第二接触掩模;和
蚀刻没被第二接触掩模覆盖的第四绝缘膜部分,除去第三和第二绝缘膜图形,然后在将环形垫用作蚀刻阻挡层的条件下各向异性地蚀刻设置在第二绝缘膜图形下的第一绝缘膜,由此形成具有临界尺寸的接触孔。
2.按照权利要求1的方法,其中在半导体衬底上所形成的各导体适于用作字线。
3.按照权利要求1的方法,其中形成环形垫的步骤包括下列步骤:
在第二绝缘膜图形形成之后所获得结构上形成蚀刻阻挡膜;和
各向异性地蚀刻该蚀刻阻挡膜。
4.按照权利要求3的方法,其中蚀刻阻挡膜是由多晶硅膜或氮化膜组成的。
5.按照权利要求1的方法,其中半导体衬底在其没被导体覆盖的部分上形成有漏或源结。
6.按照权利要求1的方法,其中第一至第三绝缘膜分别是由显示出高蚀刻选择率的材料制成。
7.一种在半导体器件中形成接触孔的方法,它包括下列步骤:
在半导体衬底上形成多个均匀间隔的导体,同时使各导体与半导体衬底绝缘;
在各导体形成之后所获得的最后结构上淀积第一绝缘膜,将该第一绝缘膜平面化,然后顺序地在第一绝缘膜上淀积第一蚀刻阻挡膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜;
在与要形成接触孔的区域相对应的第三绝缘膜部分上形成第一接触掩模;
各向异性地蚀刻没被第一接触掩模覆盖的第三和第二绝缘膜部分,由此形成第三和第二绝缘膜图形,然后以选择方式各向同性地蚀刻第二绝缘膜图形,由此形成变窄的第二绝缘膜的图形;
除去第一接触掩模,在除去第一接触掩模之后所获得的结构上淀积第二蚀刻阻挡膜,然后各向异性地蚀刻第二蚀刻阻挡膜,由此在第三和第二绝缘膜侧壁上形成第二蚀刻阻挡隔离层;
除去第三和第二绝缘膜图形,然后各向异性地蚀刻第二蚀刻阻挡垫层和第一蚀刻阻挡膜两者,由此形成环形垫;
在该垫形成之后所获得结构上形成第四绝缘膜,然后在除其与接触孔区域相对应的部分以外的第四绝缘膜上形成第二接触掩模;和
蚀刻没被第二接触掩模覆盖的第四绝缘膜部分,然后在将环形垫用作蚀刻阻挡层的条件各向异性地蚀刻设置在第四绝缘膜蚀刻部分下的第一绝缘膜,由此形成具有临界尺寸的接触孔。
8.按照权利要求7的方法,其中在半导体衬底上所形成的各导体适于用作字线。
9.按照权利要求7的方法,其中环形垫是通过各向异性地蚀刻第二蚀刻阻挡隔离层和第一蚀刻阻挡膜两者而形成的,所述蚀刻深度对应于第一蚀刻阻挡膜的厚度。
10.按照权利要求7的方法,其中第一和第二蚀刻阻挡膜是由多晶硅膜或氮化膜组成的。
11.按照权利要求7的方法,其中第一至第三绝缘膜分别是由显示出高蚀刻选择率的材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造